Micron анонсувала перший у світі модуль DDR5 на 512 ГБ

Модулі Micron DDR5 з обсягом 512 ГБ та швидкістю 9200 МТ/с з'являться на початку 2027 року. AMD та Intel вже тестують пам'ять для використання у майбутніх серверних платформах.

Micron вдалося досягнути 512 ГБ шляхом вертикального розміщення кристалів DRAM, з'єднаних через кремнієві перехідні отвори. Сервер, оснащений 24 такими модулями, може отримати 12 ТБ пам'яті DDR5 без збільшення кількості слотів RDIMM.

Виробник заявляє про значне зменшення енергоспоживання порівняно з використанням кількох менших модулів такого ж загального обсягу. Один RDIMM на 512 ГБ має номінальне споживання 16 Вт, тоді як чотири модулі на 128 ГБ споживають разом 44,2 Вт, згідно з тестовими умовами Micron. Отже, зменшення становить більш ніж 60%.

Micron також повідомляє про до 1,4 раза вищу продуктивність в аналітичних завданнях порівняно з конфігураціями модулів 256 ГБ DDR5. Компанія очікує покращення продуктивності штучного інтелекту, баз даних, віртуалізації та інших завдань, які виграють від зберігання більших наборів даних в оперативній пам'яті.

Раніше Micron представила RDIMM DDR5 на 256 ГБ, які виробляються від початку цього року. Ці модулі також підтримують швидкість до 9200 МТ/с та використовують 1-гамма DRAM від Micron з 3D-компонуванням. Компанія поки не оголосила вартість модуля на 512 ГБ.